参数资料
型号: STH16032
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA
中文描述: 晶体管|晶体管|叩| 850V五(巴西)总裁| 3A条一(c)|至218AA
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代理商: STH16032
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PDF描述
STH16034 TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA
STI340 TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | TO-126
STI341 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:60pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:420V; Holding Current:150mA
STI3439 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-220; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:420V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Through Hole
STI344 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-220; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:420V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Through Hole
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参数描述
STH16034 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA
STH160N4LF6-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):181nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8130pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1
STH165N10F4-2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STH16NA40 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS
STH16NA40FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS
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